لینک دانلود و خرید پایین توضیحات فرمت فایل word و قابل ویرایش و پرینت تعداد صفحات: 13 حکاکی لایه نازک SiO2 معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود. حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد. حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C2 F6 و CH3F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si3N4 خوب نیست . حکاکی لایه نازک Si3N4 حکاکی کننده تر در دمای H3PO4,140 – 200C می باشد. SiO2 حاصل از لای ...